众所周知，荷兰ASML的光刻机技术是全球顶尖的，但其实最开始的EUV光刻技术是日本人发明的。

EUV起初并不是最优选择

首次发明EUV光刻技术的是一个叫木下博夫的日本人，在1986年的时候，木下博夫在日本最大的电信公司NTT工作。

当时的他对光刻机技术十分着迷。

突然有一天他灵光乍现，成功的在实验室投射出来了世界上第一个EUV光刻图像。

日本的NTT公司

木下博夫本人在EUV光刻技术投入了很多精力，光是发表的论文就有170多篇。

但当时对于光刻机的研发有很多种技术，而EUV技术在当时并不被认为是最好的技术。

因为EUV光刻技术有一个很明显的缺陷，EUV光刻技术中用到的是极紫外光。

极紫外光很容易被空气和玻璃吸收，光都被吸收了，那自然就刻不了了。

极紫外光

为了减少极紫外光被吸收，人们将EUV光刻技术在真空中进行，但还是会有百分之90的光线被吸收。

所以人们只能通过增加光源功率的方式来得到足够的光线。

增加功率就需要增加供电量，造成电源的浪费，那为什么当初还是选择了EUV光刻技术呢？

EUV光刻技术的成功

当时除了EUV光刻技术，还有电子束光刻、离子束光刻和软X射线光刻等，其中人们抱有最大希望的是软X射线光刻。

X射线光刻

当时的国际社会在这些光刻技术中花了大量的时间和金钱研发，但研发了很久也没有任何进展。

日本就放弃了EUV光刻技术，集中精力去研发更有可能成功的软X射线光刻技术。

极紫外光刻

但美国并没有放弃EUV光刻技术，反而联系了几个重要的实验室继续研究EUV光刻技术。

从1997年到2003年，EUV光刻技术在美国取得了一些很重要的成果，之后这项技术转到了ASML公司继续研发。

荷兰的ASML公司

最终EUV光刻技术在ASML公司取得了成功，并成功的制造出了光刻机。

即使日本是最先发明EUV光刻技术的，但并没有取得成功，在ASML公司取得成功后，日本也想要继续研发EUV光刻技术。

但这么多年过去了，日本似乎也没得取得很大的进展，所以我认为日本想要超越是不可能的事了。

现在的EUV光刻技术的高耗能问题还没有得到解决，说明EUV光刻技术不是最佳技术。

我相信未来一定会有更先进的技术替代，但就目前而言EUV光刻技术是最先进的。

紫外光刻原理图