中国又一半导体巨头出现：1650亿造芯工程，拉开国产闪存序幕

众所周知，中国芯片产业长期以来落后于欧美，很多企业不得不依赖海外芯片。根据今年1月公布的数据，去年我国进口芯片数量为4175.7亿件，同比增长10.8%。进口金额达到3120.58亿美元（约合人民币2.14万亿），同比增长19.8%。不过，近几年我国芯片产业得到了迅速发展，涌现出海思半导体等一大批优秀企业。其中，长江存储也成为近来年崛起的新巨头。

说到长江存储，那就不得不提及其前身武汉新芯。资料显示，后者于2006年创立，一开始试图进军DRAM领域，但当时正值DRAM价格低迷周期，不得不放弃。随后几年，公司都在为美国飞索半导体生产NAND FLASH闪存，虽然技术水平还处在65nm阶段，但也有不少订单。（在这里简单提一下，存储芯片大致分为内存和闪存，前者主要指DRAM，后者分为NAND FLASH和NOR FLASH。）

然而，这样的好景没持续多久，飞索半导体在08年危机之后业绩一路下滑，两年后武汉新芯的订单数量也随之急剧下降。在这种情况下，公司不得不寻求出路，台湾台积电、美国美光、美国豪威都成为其潜在合资对象。不过当时国内业界不断呼吁要走自主发展的道路，合资计划最终被放弃。

合资未果之下，武汉新芯只能靠美国豪威的图像传感器订单艰难发展。直到2011年，在当地穿针引线下，中芯国际给该公司投了十亿美元。然而，当年中芯国际的营收只有13.2亿美元，同比大幅下滑15.14%，净利润更是亏了2.47美元。在自身难保之下，不到两年时间便退出武汉新芯。

2013年，武汉新芯导入兆易创新的NOR FLASH闪存业务，并为后者提供制造服务。虽然这次合作给新芯带来了不少订单，但其真正的命运转机还是来自于国家集成电路大基金。2016年，新芯宣布投入240亿美元（约合1650亿人民币）在武汉打造一个世界级半导体存储企业，集中精力研究生产NAND FLASH和DRAM，由此拉开了国产闪存的序幕。

同年7月，在大基金的推动下，紫光集团积极参与，共同在武汉芯片的基础上成立了长江存储公司，前者成为后者的全资子公司。据了解，长江存储成立后，主要分三个阶段部署。第一家工厂专注NAND闪存生产，第二家工厂专注DRAM芯片生产，第三个阶段的设施将专为供应商服务。

由于之前武汉芯片一直在为美国飞索半导体生产NAND FLASH，同时也在为兆易创新制造NOR FLASH。因此，长江存储一开始就具备制造经验，历经约两年时间的努力，研发出了首款32层3D NAND FLASH闪存芯片。去年，其发布了一项突破性的架构技术——Xtavking。据了解，该技术将给3D NAND闪存带来I/O性能、更高的存储密度和更短的产品上市周期。

如今，长江存储以NAND FLASH为主要产品的长江记忆体基地1期已实现量产，月产能达到5000片，办公人数多达3000人。长江存储COO高启全曾表示：“十年之内长江存储要达到世界一流水平，要有技术和市占率，并且在这个过程中不应该看价格。”

有业内人士认为，半导体企业要想获得长久的成功，必须拥有属于自身的核心技术。目前，国产存储器要想实现真正的逆袭，已然面临诸多挑战，比如技术差距和制作水平薄弱等。2019年是中国存储行业的发展关键年，国内厂商应该要抓住时机。