锗 物理性质
基本信息
锗粉末状呈暗蓝色，结晶状，为银白色脆金属。化合价+2和+4。第一电离
能7.899电子伏特，是一种稀有金属，重要的半导体材料，不溶于水。 [4]
| 原子体积（立方厘米/摩尔） | 13.6 |
| 相对原子质量 | 72.64 |
| 莫氏硬度 | 6 |
| 声音在其中的传播速率（m/S） | 5400 |
| 密度 | 5.35克/立方厘米 |
| 熔点 | 938.25℃ |
| 沸点 | 2830℃ |
| 热光系数 | dn/dT≈0.0004/K (25～150℃） |
| 原子半径 | 22皮米，Ge4+半径53皮米。 |
晶体结构：晶胞为面心立方晶胞，每个晶胞含有4个金属原子。晶胞参数如下： [5]
a = 565.75 pm |
b = 565.75 pm |
c = 565.75 pm |
α = 90° |
β = 90° |
γ = 90° |
据X射线研究证明，锗晶体里的原子排列与金刚石差不多，结构决定性能，所以锗与金刚石一样硬而且脆。 [6]
| CAS号 | |
| 7440-56-4 [7] | |
| 元素符号 | Ge |
原子序数 | 32 |
质子数 | 32 |
核电荷数 | 32 |
中子数 | 41 |
电子数 | 32 |
原子核亏损质量 | 0.96603u |
摩尔质量 | 73 |
所属周期 | 4 |
所属族数 | IVA |
外围电子层排布 | 4s² 4p² |
电子层 | K-L-M-N |
价电子排布 | 2-8-18-4 |
| 氧化态 | Ge+2,Ge+4 |
Ge-H 288 |
Ge-H 288 |
Ge-O 363 |
Ge-F 464 |
Ge-Cl 340 |
Ge-Ge 163 |
电离能(kJ/ mol) ：
M - M+ 762.1 |
M+ - M2+ 1537M2+ - M3+ 3302 |
M3+ - M4+ 4410 |
M4+ - M5+ 9020 |
M5+ - M6+ 11900 |
M6+ - M7+ 15000 |
M7+ - M8+ 18200 |
M8+ - M9+ 21800 |
M9+ - M10+ 27000 |
导电性
锗，就其导电的本领而言，优于一般非金属，劣于一般金属，这在物理学上称为“半导体”，对固体物理和固体电子学的发展有重要作用。锗有着良好的半导体性质，如电子迁移率、空穴迁移率等等。锗的发展仍具有很大的潜力。 [7]
请先 后发表评论～