据业内人士透露，中国长江存储科技最近已向一些客户交付了其内部开发的192层3D NAND闪存样品。尽管如此，消息人士称，这家总部位于中国的存储芯片制造商预计将在今年年底前首次亮相192层3D NAND闪存。
【文/观察者网 吕栋】“我们没有考虑出售大连工厂。”1月23日，针对美国媒体相关报道，韩国存储芯片巨头SK海力士向观察者网回复表示。稍早前，美媒彭博社发布长篇报道，暗示SK海力士受美国出口管制政策影响，或卖掉大连工厂。
4月26日消息，据DigiTimes援引韩国媒体报道称，韩国存储芯片大厂SK海力士正在推迟其在中国大连的第二座3D NAND Flash工厂的完工，这一决定一方面为了应对存储市场需求下滑，另一方面则是由于去年10月美国出台的限制对华出口先进半导体制造设备，使得SK海力士设备采购受到了影响。
在过去作为加工贸易城市而繁荣的中国东北部核心城市辽宁省大连市，外资企业的设备投资正在增加。据大连市统计局的数据，相当于外资企业投资额的“实际利用外资”2022年1~11月达到18亿美元，超过2021年全年。
据韩国媒体亚洲经济报道，SK海力士透过子公司SK Hynix SYSTEM IC向无锡晶圆代工事业出资1,000万美元，资金用途视厂房兴建计划而定，无锡新工厂计划于2019年下半年竣工，从2020年开始正式启动。
