6月12日，安森美宣布，最新发布第7代1200V QDual3绝缘栅双极晶体管（IGBT）功率模块，与其他同类产品相比，该模块的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。据介绍，利用QDual3模块，制造商可以在相同系统尺寸下，设计出发电和蓄电能力更强的太阳能逆变器和储能系统。
“如果要描述安森美，增长、碳化硅、转型、可持续发展等等，这些词汇具象代表了我们目前的业务模式，也在一定程度上代表着我们未来的战略发展方向”， 安森美总裁兼首席执行官Hassane El-Khoury日前在北京的媒体会上说道。
3月18日，安森美官微宣布推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的SPM 31智能功率模块（IPM）系列。碳化硅是一种由碳和硅元素组成的化合材料，具有较高硬度和优异的物理化学性能。
