实际应用中却发现，功率MOSFET在ZVS软开关过程中，COSS电容充放电过程存在一定的额外损耗，无法恢复存储在输出电容COSS中的全部能量，这个现象称为超结功率MOSFET输出电容的迟滞效应，其最先由美国Enphase公司工程师发现:Coss Related Energy Loss in Power MOSFETs Used in Zero Voltage Switched Applications， J. B. Fedison， M. Fornage， M. J. Harrison， D. R. Zimmanck， Enphase Energy Inc.， APEC 2014.
成立三年的瑶芯微电子科技就是其中一家，已经在功率器件领域拥有多项成果，其产品包括中低压Trench MOS以及SGT MOS，高压SJ超结MOS和IGBT器件以及SiC MOS和SiC 二极管，覆盖高中低全电压平台。
作者：Sanjay Havanur和Philip Zuk基于超级结技术的功率MOSFET已成为高压开关转换器领域的业界规范。它们提供更低的RDS(on)，同时具有更少的栅极和和输出电荷，这有助于在任意给定频率下保持更高的效率。
国产650V碳化硅（SiC）MOSFET比如BASiC基本股份(BASiC Semiconductor) 在性价比上能够全面超越超结MOSFET（SJ MOSFET），倾佳电子杨茜分析这一现象背后涉及材料特性、技术突破、成本优化以及应用场景适配等多方面的综合优势。
N沟道MOSFET的工作原理是什么？平面MOSFET的结构和操作对于如下所示的平面MOSFET：1. 在漏极与源极之间施加正极性电压（漏极-源极电压：VDS）2. 在栅极与源极之间施加正极性电压（栅极-源极电压：VGS）3.
功率半导体包含分立器件及电源管理芯片且细分种类繁多，预计2022 年总市场规模约为 543 亿美元。根据OMDIA 与 Yole 数据，2022 年全球功率半导体市场规模约为 543 亿美元，占半导体市场 9%;
