失效分析 赵工 半导体工程师 2023-11-20 11:12 发表于北京FIB失效分析缺陷观察ictest1一、FAB工艺流程入门•1. 这里的FAB指的是从事晶圆制造的工厂。半导体和泛半导体通常使用"FAB"这个词，它和其他电子制造的“工厂”同义。
制作Well和反型层:也就是通常说的阱，well是通过离子植入的方式进入到衬底上的，如果要制作NMOS，需要植入P型well，如果制作PMOS，需要植入N型well，为了方便大家了解，我们拿NMOS来做例子。
化石能源的过度开发和利用造成了环境污染和气候变化等严重问题，开发和利用可再生清洁能源势在必行。近日，中国工程院院刊《Frontiers in Energy》2021年第3期专辑“光催化:从太阳能到风能”已正式上线出版，特邀上官文峰教授、工藤昭彦教授，江治副教授、山口友一助理教授担任本专辑的客座编辑。
作为本世纪初被开发以应对22nm以后半导体工艺难题的两大制程技术之一，FD-SOI显然从知名度上远远不如FinFET那样耳熟能详，应用广度也欠缺了不止一个维度，但这种独特的工艺在某些方面的优势，又是标准的FinFET工艺所不具备的，特别是在如今庞大的物联网生态中，对芯片差异化的需求有时正需要FD-SOI这种技术独特的优势来实现。
