不黑也不吹，目前在光刻机领域，我们确实落后国际顶尖水平太多了。而我们还在ArF阶段，也就是干式DUV光刻机，之后还有浸润式DUV光刻机，还有EUV光刻机，落后好几代，用一些人的话来说，可能是15-20年。
当前芯片制造工艺，均依赖于光刻工艺，所以光刻机是最重要的核心设备之一。但是大家也清楚，目前国产光刻机的水平，与全球顶尖水平确实有差距。如下图所示，目前国产上海微电子最强的光刻机，其节点还在90纳米，处于低端水平。而这个90nm，其实也就是干式DUV光刻机的水平。
2021年，在中国企业未来发展论坛中，北京大学国家发展研究院名誉院长林毅夫先生就引用光刻机的巨头荷兰阿斯迈CEO的话，预测中国将在三年后造出一台EUV光刻机，而今2023年，离林毅夫先生提出的三年之期只剩下不到一年时间，期限已至，我国的光刻机制造进度究竟如何?
不吹不黑，在光刻机领域，咱们和国际顶尖水平确实差得挺远。ASML的EUV光刻机已经能造2nm芯片，而我们还在ArF干式DUV阶段晃悠——后面还有浸润式DUV、EUV好几代要追，有人估算差距可能有15到20年。EUV光刻机是造7nm以下芯片的刚需，可ASML的EUV死活不卖给我们。
