据《自然》期刊发表的论文报道，约翰斯・霍普金斯大学的研究团队研发出一种新型芯片制造技术，该技术采用波长 6.5 纳米至 6.7 纳米的激光（即软 X 射线），可将光刻设备的分辨率提升至 5 纳米及以下。
ASML 最近披露，低 NA EUV Twinscan NXE 机器的成本为 1.83 亿美元或更高，具体取决于配置，而 High NA EUV Twinscan EXE 工具的价格为 3.8 亿美元或更高，具体取决于配置。
近日，美媒公开了阿斯麦公司的最新一代极紫外光刻机，造价超4亿美元。众所周知，光刻机是半导体产业链中最精密的设备，也是制造芯片的核心装备。光刻过程简单来说，是把设计好的芯片图案印在掩膜上，再用激光穿过掩膜和物镜，最后把芯片的图案精准地投射到晶圆表面。
